——二维强激光场中的隧穿电离动力学和基于MoS2薄膜的阻变存储器研究
为了增强物理学师范生的终身学习意识和培养学生专业发展意识，了解物理学科基础动态及发展趋势，拓宽科学知识领域认识面，为毕业论文打下良好基础。9月12号上午，我院邀请陕西师范大学博士后陈超老师、河北师范大学博士刘立甫老师为2020级物理学师范生作科技前沿讲座。讲座介绍了最新的科技趋势和前沿技术，学生可以了解到目前科技领域的最新进展，了解到科技对社会和生活的影响，激发学生的创新思维。讲座涉及理论物理和凝聚态物理领域的前沿发展，拓宽学生的知识面，为将来的学习和职业发展提供参考。
陈超博士的报告题目为《二维强激光场中的隧穿电离动力学》，陈超老师以激光技术的发展历程为开篇，以强激光场中的原子分子的隧穿电离研究为主线，介绍了强激光场与原子分子相互作用时所表现出的一系列新奇的超快非线性现象，如阈上电离、非次序双电离、高次谐波辐射等，深入讲解了二维隧穿电离过程中的电子波包动力学，以及利用阿秒钟、高次谐波谱等技术探测分子超快动力学及其结构信息的原理等。最后陈老师详细介绍了强场物理研究中的量子-经典对应、强场响应时间的理论及其应用。
刘立甫博士讲座题目为《基于MoS2薄膜的阻变存储器研究》，报告介绍了存储器的发展历史，以及最新进展。新型存储器——忆阻器，是一种基于“记忆”外加电压或电流历史而动态改变其内部电阻状态的电阻开关存储器。忆阻器拥有超小的尺寸，极快的擦写速度，超高的擦写寿命，多阻态开关特性和良好的CMOS兼容性，被业内视为可应用在未来存储和类脑计算（神经形态计算）技术的重要候选者。二维的过渡族金属硫族化合物（TMD）因其优良的半导体光电性质、高的载流子浓度、可控的带隙性质及可调的带隙大小，同时具有半导体性到金属性的可变性，以及强的自旋轨道耦合效应等物理性质，成为学术界与工业界共同关注的新宠材料，并成为应用于忆阻器领域的重点研究对象。近年来，人们发现基于金属氧化物薄膜忆阻器中发现了电磁耦合现象，这一发现将有利于提高忆阻器的存储密度和拓宽其潜在应用。而受电场调控忆阻器的磁性开关可以实现单器件的多维存储，提高存储密度。这种电场调控磁性的现象在过渡族金属硫族化合物基忆阻器中未有报道。我们通过研究制备高性能的MoS2忆阻器，并且结合MoS2独特的磁学性能，实现电场对MoS2忆阻器磁性的调控，揭示了电场调制磁性开关的机理。
学生通过听科技前沿讲座可以增加对科技发展的了解，激发创新思维，拓宽知识面，增强科技意识。这些收获将有助于学生在未来的学习和职业发展中取得更好的成果。
